Comprar IXFT12N90Q con BYCHPS
Compre con garantía
IXFT12N90Q
- Número de pieza:
- IXFT12N90Q
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15643 Pieces
- Ficha de datos:
- IXFT12N90Q.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFT12N90Q, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFT12N90Q por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5.5V @ 4mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-268 |
| Serie: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 900 mOhm @ 6A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 300W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IXFT12N90Q |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2900pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 900V 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 900V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXFT12N90Q
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 | Investigación |
|
IXFT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | Investigación |
|
IXFT15N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 | Investigación |
 |
IXFT18N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A TO268 | Investigación |
 |
IXFT12N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12A TO268 | Investigación |
 |
IXFT12N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 | Investigación |
|
IXFT16N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 16A TO268 | Investigación |
|
IXFT140N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 | Investigación |
|
IXFT14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 | Investigación |
|
IXFT15N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 | Investigación |
|
IXFT15N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 | Investigación |
|
IXFT14N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 | Investigación |
|
IXFT10N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 | Investigación |
|
IXFT18N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 | Investigación |
|
IXFT17N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) | Investigación |
|
IXFT13N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268 | Investigación |
|
IXFT150N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog