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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFT10N100
IXFT10N100
IXFT10N100
Número de pieza:
IXFT10N100
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19434 Pieces
Ficha de datos:
IXFT10N100.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 4mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-268
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.2 Ohm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFT10N100
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:155nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 10A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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