IXFC74N20P
Número de pieza:
IXFC74N20P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15607 Pieces
Ficha de datos:
IXFC74N20P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 4mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ISOPLUS220™
Serie:PolarHT™ HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:36 mOhm @ 37A, 10V
La disipación de energía (máximo):120W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:ISOPLUS220™
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFC74N20P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:107nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 35A (Tc) 120W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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