IRFR1018EPBF
Número de pieza:
IRFR1018EPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12597 Pieces
Ficha de datos:
IRFR1018EPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:8.4 mOhm @ 47A, 10V
La disipación de energía (máximo):110W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:64-4127PBF
64-4127PBF-ND
SP001567496
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFR1018EPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2290pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:69nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:56A (Tc)
Email:[email protected]

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