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ISL9R8120S3ST
- Número de pieza:
- ISL9R8120S3ST
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12245 Pieces
- Ficha de datos:
- ISL9R8120S3ST.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para ISL9R8120S3ST, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para ISL9R8120S3ST por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 3.3V @ 8A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | TO-263AB |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Stealth™ |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 300ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | ISL9R8120S3ST-ND ISL9R8120S3STFSTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | ISL9R8120S3ST |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount TO-263AB |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 8A |
| Capacitancia Vr, F: | 30pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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