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ISL9R18120G2
- Número de pieza:
- ISL9R18120G2
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17588 Pieces
- Ficha de datos:
- ISL9R18120G2.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para ISL9R18120G2, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para ISL9R18120G2 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 3.3V @ 18A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247-2 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Stealth™ |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 70ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-2 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | ISL9R18120G2 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 18A Through Hole TO-247-2 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 18A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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