IRLW510ATM
Número de pieza:
IRLW510ATM
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18763 Pieces
Ficha de datos:
IRLW510ATM.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRLW510ATM, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRLW510ATM por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IRLW510ATM con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:440 mOhm @ 2.8A, 5V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 37W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRLW510ATM
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:235pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 5.6A (Tc) 3.8W (Ta), 37W (Tc) Through Hole I2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.6A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios