IRLU8259PBF
IRLU8259PBF
Número de pieza:
IRLU8259PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19344 Pieces
Ficha de datos:
IRLU8259PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.35V @ 25µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:8.7 mOhm @ 21A, 10V
La disipación de energía (máximo):48W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:SP001574068
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRLU8259PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 57A (Tc) 48W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:57A (Tc)
Email:[email protected]

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