SCT30N120
SCT30N120
Número de pieza:
SCT30N120
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16045 Pieces
Ficha de datos:
1.SCT30N120.pdf2.SCT30N120.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.6V @ 1mA (Typ)
Vgs (Max):+25V, -10V
Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo:HiP247™
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:100 mOhm @ 20A, 20V
La disipación de energía (máximo):270W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:497-14960
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SCT30N120
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:105nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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