IRLD110
IRLD110
Número de pieza:
IRLD110
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
19173 Pieces
Ficha de datos:
IRLD110.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:540 mOhm @ 600mA, 5V
La disipación de energía (máximo):1.3W (Ta)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Otros nombres:*IRLD110
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRLD110
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.1nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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