Comprar IRLD110 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 540 mOhm @ 600mA, 5V |
La disipación de energía (máximo): | 1.3W (Ta) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Otros nombres: | *IRLD110 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IRLD110 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6.1nC @ 5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
Descripción: | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
Email: | [email protected] |