Comprar SIHB22N60AE-GE3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-263 (D²Pak) |
Serie: | E |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 179W (Tc) |
Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 19 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | SIHB22N60AE-GE3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1451pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 96nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 600V 20A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
Descripción: | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |