Comprar IRL8113S con BYCHPS
Compre con garantía
IRL8113S
- Número de pieza:
- IRL8113S
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 13175 Pieces
- Ficha de datos:
- IRL8113S.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRL8113S, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRL8113S por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.25V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 6 mOhm @ 21A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 110W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | *IRL8113S |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRL8113S |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2840pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 35nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 105A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 105A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRL8113S
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL8113 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB | Investigación |
 |
IRL8113STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | Investigación |
 |
IRL8113L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A TO-262 | Investigación |
|
IRL8114PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB | Investigación |
|
IRL8113STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | Investigación |
|
IRL8113SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | Investigación |
|
IRL8113LPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A TO-262 | Investigación |
|
IRL8113STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | Investigación |
|
IRL8113STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | Investigación |
|
IRL8113PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers