Comprar IRL8113STRL con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.25V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | D2PAK |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 6 mOhm @ 21A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 110W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IRL8113STRL |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2840pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 35nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 30V 105A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 105A (Tc) |
Email: | [email protected] |