IRFU024NPBF
IRFU024NPBF
Número de pieza:
IRFU024NPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16985 Pieces
Ficha de datos:
IRFU024NPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:IPAK (TO-251)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:75 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):45W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:*IRFU024NPBF
SP001552404
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRFU024NPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:370pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 17A (Tc) 45W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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