IRFPE30
IRFPE30
Número de pieza:
IRFPE30
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
13392 Pieces
Ficha de datos:
IRFPE30.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):125W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:*IRFPE30
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFPE30
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:78nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.1A (Tc)
Email:[email protected]

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