IRFH5406TRPBF
IRFH5406TRPBF
Número de pieza:
IRFH5406TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14764 Pieces
Ficha de datos:
IRFH5406TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PQFN (5x6)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:14.4 mOhm @ 24A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.6W (Ta), 46W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:IRFH5406TRPBF-ND
IRFH5406TRPBFTR
SP001577902
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRFH5406TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1256pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 11A (Ta), 40A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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