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IRFH5110TR2PBF
- Número de pieza:
- IRFH5110TR2PBF
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16680 Pieces
- Ficha de datos:
- IRFH5110TR2PBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRFH5110TR2PBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRFH5110TR2PBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PQFN (5x6) |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 12.4 mOhm @ 37A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres: | IRFH5110TR2PBFDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRFH5110TR2PBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3152pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 72nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 11A (Ta), 63A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta), 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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