IRFH5110TRPBF
IRFH5110TRPBF
Número de pieza:
IRFH5110TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12605 Pieces
Ficha de datos:
IRFH5110TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 100µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PQFN (5x6)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:12.4 mOhm @ 37A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.6W (Ta), 114W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:SP001560340
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRFH5110TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3152pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:72nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 11A (Ta), 63A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 63A (Tc)
Email:[email protected]

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