IRFH5302TRPBF
IRFH5302TRPBF
Número de pieza:
IRFH5302TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15599 Pieces
Ficha de datos:
IRFH5302TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.35V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PQFN (5x6) Single Die
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.1 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.6W (Ta), 100W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:IRFH5302TRPBF-ND
IRFH5302TRPBFTR
SP001575636
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRFH5302TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4400pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:76nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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