Comprar IRFH5301TRPBF con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.35V @ 100µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PQFN (5x6) Single Die |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.85 mOhm @ 50A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 3.6W (Ta), 110W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
Otros nombres: | IRFH5301TRPBF-ND IRFH5301TRPBFTR SP001556462 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IRFH5301TRPBF |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5114pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 77nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 30V 35A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Ta), 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |