IRFD9210
IRFD9210
Número de pieza:
IRFD9210
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
14944 Pieces
Ficha de datos:
IRFD9210.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3 Ohm @ 240mA, 10V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Otros nombres:*IRFD9210
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFD9210
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:170pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.9nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 200V 400mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:400mA (Ta)
Email:[email protected]

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