IRFD9123PBF
Número de pieza:
IRFD9123PBF
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18867 Pieces
Ficha de datos:
IRFD9123PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-HVMDIP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:600 mOhm @ 600mA, 10V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFD9123PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:390pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 100V 1A (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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