IRFB17N20D
IRFB17N20D
Número de pieza:
IRFB17N20D
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
13574 Pieces
Ficha de datos:
IRFB17N20D.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:170 mOhm @ 9.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 140W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:*IRFB17N20D
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFB17N20D
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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