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APT80SM120B
- Número de pieza:
- APT80SM120B
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- POWER MOSFET - SIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19810 Pieces
- Ficha de datos:
- APT80SM120B.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APT80SM120B, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APT80SM120B por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 55 mOhm @ 40A, 20V |
| La disipación de energía (máximo): | 555W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | APT80SM120B |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 235nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1200V (1.2kV) |
| Descripción: | POWER MOSFET - SIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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