IRF9Z34NSPBF
IRF9Z34NSPBF
Número de pieza:
IRF9Z34NSPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18509 Pieces
Ficha de datos:
IRF9Z34NSPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:100 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 68W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:*IRF9Z34NSPBF
SP001566500
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF9Z34NSPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:620pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 55V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

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