IRF9Z24NLPBF
IRF9Z24NLPBF
Número de pieza:
IRF9Z24NLPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18545 Pieces
Ficha de datos:
IRF9Z24NLPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:175 mOhm @ 7.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 45W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:*IRF9Z24NLPBF
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF9Z24NLPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 55V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Through Hole TO-262
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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