IRF8327STR1PBF
IRF8327STR1PBF
Número de pieza:
IRF8327STR1PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 14A SQ
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14930 Pieces
Ficha de datos:
IRF8327STR1PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.4V @ 25µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET™ SQ
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:7.3 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.2W (Ta), 42W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric SQ
Otros nombres:IRF8327STR1PBF-ND
SP001565762
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF8327STR1PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1430pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:14nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 14A SQ
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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