IRF8301MTRPBF
IRF8301MTRPBF
Número de pieza:
IRF8301MTRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14583 Pieces
Ficha de datos:
IRF8301MTRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.35V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET™ MT
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.5 mOhm @ 32A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta), 89W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric MT
Otros nombres:IRF8301MTRPBF-ND
IRF8301MTRPBFTR
SP001555752
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF8301MTRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6140pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:77nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 27A (Ta), 34A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:27A (Ta), 34A (Tc)
Email:[email protected]

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