Comprar IRF6718L2TRPBF con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.35V @ 150µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | DIRECTFET L6 |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 0.7 mOhm @ 61A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 4.3W (Ta), 83W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | DirectFET™ Isometric L6 |
Otros nombres: | IRF6718L2TRPBF-ND IRF6718L2TRPBFTR SP001523928 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IRF6718L2TRPBF |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6500pF @ 13V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 96nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L6 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 25V |
Descripción: | MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 61A (Ta), 270A (Tc) |
Email: | [email protected] |