IRF6710S2TRPBF
IRF6710S2TRPBF
Número de pieza:
IRF6710S2TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13702 Pieces
Ficha de datos:
IRF6710S2TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.4V @ 25µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET S1
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:5.9 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.8W (Ta), 15W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric S1
Otros nombres:SP001524736
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF6710S2TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1190pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 12A (Ta), 37A (Tc) 1.8W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 37A (Tc)
Email:[email protected]

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