IRF6648TR1
IRF6648TR1
Número de pieza:
IRF6648TR1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12446 Pieces
Ficha de datos:
IRF6648TR1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.9V @ 150µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET™ MN
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:7 mOhm @ 17A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta), 89W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric MN
Otros nombres:IRF6648
IRF6648-ND
SP001571492
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):2 (1 Year)
Número de pieza del fabricante:IRF6648TR1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2120pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:86A (Tc)
Email:[email protected]

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