IRF6641TRPBF
IRF6641TRPBF
Número de pieza:
IRF6641TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17506 Pieces
Ficha de datos:
IRF6641TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.9V @ 150µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET™ MZ
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta), 89W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric MZ
Otros nombres:IRF6641TRPBF-ND
IRF6641TRPBFTR
SP001559700
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF6641TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2290pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.6A (Ta), 26A (Tc)
Email:[email protected]

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