IRF1010EZS
IRF1010EZS
Número de pieza:
IRF1010EZS
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
13281 Pieces
Ficha de datos:
IRF1010EZS.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 100µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:8.5 mOhm @ 51A, 10V
La disipación de energía (máximo):140W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:*IRF1010EZS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF1010EZS
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2810pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:86nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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