IRF1010NSTRL
IRF1010NSTRL
Número de pieza:
IRF1010NSTRL
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
13707 Pieces
Ficha de datos:
IRF1010NSTRL.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRF1010NSTRL, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRF1010NSTRL por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IRF1010NSTRL con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:11 mOhm @ 43A, 10V
La disipación de energía (máximo):180W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF1010NSTRL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3210pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:120nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 85A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:85A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios