IPU50R2K0CEBKMA1
IPU50R2K0CEBKMA1
Número de pieza:
IPU50R2K0CEBKMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13861 Pieces
Ficha de datos:
IPU50R2K0CEBKMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO251-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:2 Ohm @ 600mA, 13V
La disipación de energía (máximo):22W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante:IPU50R2K0CEBKMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:124pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 2.4A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):13V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.4A (Tc)
Email:[email protected]

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