Comprar IRFSL9N60APBF con BYCHPS
Compre con garantía
IRFSL9N60APBF
- Número de pieza:
- IRFSL9N60APBF
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15700 Pieces
- Ficha de datos:
- IRFSL9N60APBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRFSL9N60APBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRFSL9N60APBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | I2PAK |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 750 mOhm @ 5.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 170W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres: | *IRFSL9N60APBF |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 11 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IRFSL9N60APBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRFSL9N60APBF
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL11N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 | Investigación |
|
IRFSL31N20DTRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 | Investigación |
|
IRFSL9N60A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 | Investigación |
|
IRFSL9N60ATRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 | Investigación |
|
IRFSL9N60ATRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 | Investigación |
 |
IPD800N06NGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 16A TO-252 | Investigación |
 |
IRFR320TRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK | Investigación |
 |
PMZB300XN,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN | Investigación |
|
IRFSL31N20DTRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 | Investigación |
|
IPD22N08S2L50ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 | Investigación |
|
IRFSL11N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog