IPU135N08N3 G
IPU135N08N3 G
Número de pieza:
IPU135N08N3 G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18363 Pieces
Ficha de datos:
IPU135N08N3 G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 33µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO251-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:13.5 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):79W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:IPU135N08N3G
IPU135N08N3GBKMA1
SP000521642
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IPU135N08N3 G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1730pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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