SPB80N10L G
SPB80N10L G
Número de pieza:
SPB80N10L G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16715 Pieces
Ficha de datos:
SPB80N10L G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 2mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-3-2
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:14 mOhm @ 58A, 10V
La disipación de energía (máximo):250W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:SP000102173
SPB80N10L G-ND
SPB80N10LGINTR
SPB80N10LGXT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SPB80N10L G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4540pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:240nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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