IPT059N15N3ATMA1
IPT059N15N3ATMA1
Número de pieza:
IPT059N15N3ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16073 Pieces
Ficha de datos:
IPT059N15N3ATMA1.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPT059N15N3ATMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPT059N15N3ATMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IPT059N15N3ATMA1 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 270µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-HSOF-8-1
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:5.9 mOhm @ 150A, 10V
La disipación de energía (máximo):375W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-PowerSFN
Otros nombres:IPT059N15N3ATMA1DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPT059N15N3ATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7200pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:92nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 150V 155A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):8V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción:MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:155A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios