IPS13N03LA G
IPS13N03LA G
Número de pieza:
IPS13N03LA G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15977 Pieces
Ficha de datos:
IPS13N03LA G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 20µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO251-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:12.8 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):46W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres:IPS13N03LAGX
SP000015133
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante:IPS13N03LA G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1043pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.3nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 30A (Tc) 46W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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