TN0106N3-G-P003
Número de pieza:
TN0106N3-G-P003
Fabricante:
Micrel / Microchip Technology
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14323 Pieces
Ficha de datos:
TN0106N3-G-P003.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TN0106N3-G-P003, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TN0106N3-G-P003 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar TN0106N3-G-P003 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 500µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-92-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):1W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:19 Weeks
Número de pieza del fabricante:TN0106N3-G-P003
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:60pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:350mA (Tj)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios