Comprar IPI35CN10N G con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 29µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO262-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 35 mOhm @ 27A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 58W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Otros nombres: | SP000208936 SP000680730 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IPI35CN10N G |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1570pF @ 50V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 100V 27A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
Descripción: | MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 27A (Tc) |
Email: | [email protected] |