BSS83PE6327
Número de pieza:
BSS83PE6327
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17930 Pieces
Ficha de datos:
BSS83PE6327.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 80µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-SOT23-3
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:2 Ohm @ 330mA, 10V
La disipación de energía (máximo):360mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:BSS83PE6327INTR
BSS83PE6327XT
BSS83PE6327XTINTR
BSS83PE6327XTINTR-ND
SP000012075
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BSS83PE6327
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:78pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.57nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:330mA (Ta)
Email:[email protected]

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