IPF10N03LA
IPF10N03LA
Número de pieza:
IPF10N03LA
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
16067 Pieces
Ficha de datos:
IPF10N03LA.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 20µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:P-TO252-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:10.4 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):52W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IPF10N03LAT
SP000014985
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IPF10N03LA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1358pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount P-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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