Comprar VN0104N3-G-P013 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.4V @ 1mA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 3 Ohm @ 1A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 1W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 19 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | VN0104N3-G-P013 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 65pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 40V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
Descripción: | MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 350mA (Tj) |
Email: | [email protected] |