IPD85P04P4L06ATMA1
IPD85P04P4L06ATMA1
Número de pieza:
IPD85P04P4L06ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17670 Pieces
Ficha de datos:
IPD85P04P4L06ATMA1.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPD85P04P4L06ATMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPD85P04P4L06ATMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IPD85P04P4L06ATMA1 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 150µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3-313
Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:6.4 mOhm @ 85A, 10V
La disipación de energía (máximo):88W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SP000842056
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPD85P04P4L06ATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6580pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:104nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 40V 85A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:85A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios