BSO080P03NS3GXUMA1
BSO080P03NS3GXUMA1
Número de pieza:
BSO080P03NS3GXUMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15740 Pieces
Ficha de datos:
BSO080P03NS3GXUMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.1V @ 150µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-DSO-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:8 mOhm @ 14.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.6W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:BSO080P03NS3 G
BSO080P03NS3 G-ND
BSO080P03NS3 GTR-ND
BSO080P03NS3G
SP000472996
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSO080P03NS3GXUMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6750pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:81nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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