IPD50R950CE
IPD50R950CE
Número de pieza:
IPD50R950CE
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13406 Pieces
Ficha de datos:
1.IPD50R950CE.pdf2.IPD50R950CE.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 100µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:950 mOhm @ 1.2A, 13V
La disipación de energía (máximo):34W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IPD50R950CEBTMA1
IPD50R950CEINTR
SP000992070
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante:IPD50R950CE
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:231pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Super Junction
Descripción ampliada:N-Channel 500V 4.3A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.3A (Tc)
Email:[email protected]

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