Comprar IPD50P04P4L-11 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.2V @ 85µA |
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Vgs (Max): | ±16V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO252-3-313 |
Serie: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 10.6 mOhm @ 50A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 58W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Otros nombres: | IPD50P04P4L-11TR IPD50P04P4L11 IPD50P04P4L11ATMA1 SP000671156 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 26 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IPD50P04P4L-11 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3900pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 59nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 40V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
Descripción: | MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |