IPD068P03L3GATMA1
IPD068P03L3GATMA1
Número de pieza:
IPD068P03L3GATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12120 Pieces
Ficha de datos:
IPD068P03L3GATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:6.8 mOhm @ 70A, 10V
La disipación de energía (máximo):100W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IPD068P03L3GATMA1-ND
IPD068P03L3GATMA1TR
SP001127838
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPD068P03L3GATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7720pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:91nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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